实验室概况

“摩尔定律”一直指导集成电路技术的发展，当前晶体管已接近物理极限，“摩尔定律”即将失效，急需发展突破器件性能瓶颈的新理论、新器件和新电路。建立在经典物理理论基础之上的传统微电子学理论需要利用量子力学理论对其进行改造，后摩尔时代面临众多“没有已知解决方案”的基本物理问题挑战。

后摩尔时代物理与器件湖南省普通高校重点实验室聚焦芯片领域发展前沿，拟通过信息、数学、物理、材料、工程、生命等多学科的交叉融合，在后摩尔时代新机理、新器件、新电路和新架构等方面开展研究。实验室拥有一支以具有国际视野海外知名高校留学经历的博士为骨干、基础研究和工程实践相结合的学术研究队伍。团队师资力量雄厚，拥有教育部新世纪优秀人才、湖南省百人计划、湖南省芙蓉特聘教授、湖湘高层次人才、湖南省杰青、湖南省青年骨干教师、湖湘英才计划和湖湘青年科技创新人才等入选者十余人次；并聘请了国科微电子股份有限公司、长沙景嘉微电子股份有限公司、中电四十八所等企事业单位研究人员作为兼职研究人员。近十年先后承担国家自然科学基金等国家省部级项目，项目经费突破2000万元；获得国家集成电路布图设计登记证书和发明专利等国家知识产权100多项；在国内外学术期刊发表200多篇论文。

实验室有望在微纳半导体器件与集成技术的新原理、新技术和新方法获得突破，将在人工智能、航空航天、数字经济和国防安全等领域取得应用，期待与学术界和产业界开展合作共创美好未来！