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   近日，实验室团队在国际著名应用物理期刊Applied Physics Letters上发表了题为“Low-voltage solution-processed Sn-doped CuI neuromorphic transistors with synaptic plasticity and pain mimicked”的研究论文（https://doi.org/10.1063/5.0217175 ）。物理与电子科学学院硕士研究生许晓东为第一作者，窦威副教授和唐东升教授为通讯作者。

本文在玻璃基底上制备了以CuI掺杂不同浓度的SnI₂为沟道，壳聚糖为电介质的Sn_xCu_1-xI薄膜晶体管。当x为0.06时，器件表现出最佳性能：电流开/关比为2.56×10⁵，亚阈值斜率为31.67 mV/dec，阈值电压为1.33V，饱和场效应迁移率为21.75cm² V^-1 s^-1。由于壳聚糖的双电层（EDL）效应，器件的工作电压降低到2V以下。对人工突触的行为和功能进行了模拟，如短期可塑性（STP）、长期可塑性（LTP）和双脉冲易化（PPF）。基于人工突触的功能，Sn_0.06Cu_0.94I神经形态晶体管模拟了生物痛觉感受器的基本疼痛感知功能。最后，研究了偏置应力和激光照射对器件的影响，表明Sn_0.06Cu_0.94I神经形态晶体管具有良好的稳定性。这种通过溶液工艺制备的低压神经形态晶体管，在仿生感知系统和神经形态芯片技术中的应用具有重要意义。（Applied Physics Letters，2024，125，053501）。

研究工作得到了国家自然科学基金（62104068、11574081）等项目资助。